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旋转磁场对布里奇曼法GaInSb晶体生长过程的多维度影响研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代信息技术的基石，其性能的提升对于推动电子、通信、能源等众多领域的进步具有至关重要的作用。随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛发展，对半导体材料的性能提出了更高的要求，如更高的电子迁移率、更窄的禁带宽度以及更好的电学性能等，这促使科研人员不断探索和研究新型半导体材料及优化其制备工艺。

GaInSb晶体作为一种重要的半导体材料，属于Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，因其具有高的电子迁移率、窄禁带宽度以及优异的电学性能，在光电通讯、太阳能电池、激光探测、卫