原创力文档摘要
摘要
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体的核心材料，在国家“十四五”
规划中被明确列为重点发展方向，是推动半导体产业升级和保障供应链安全的
关键材料，高质量GaN材料生长研究具有重要的战略意义。我国在GaN材料生
长、器件设计和制造工艺方面取得显著突破，部分技术达到国际先进水平，但
与美国、日本等国家相比，高端技术和市场份额上仍有些许差距。GaN应用和
产业链方面正面临着技术瓶颈和产业链不完善等问题，而GaN
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