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CN112670336B 一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极及其制备方法 （中山市华南理工大学现代产业技术研究院）.docxVIP

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  • 2026-03-12 发布于山西
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CN112670336B 一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极及其制备方法 （中山市华南理工大学现代产业技术研究院）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112670336B

    (45)授权公告日2025.06.06

    (21)申请号202011447090.0

    (22)申请日2020.12.11

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112670336A

    (43)申请公布日2021.04.16

    (73)专利权人中山市华南理工大学现代产业技术研究院

    地址528400广东省中山市火炬开发区中

    心城区祥兴路6号212房专利权人华南理工大学

    (72)发明人王洪李先辉

    (74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102

    专利代理师江裕强

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