CN102645694A 滤波范围540～760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法 （河南科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102645694A

(43)申请公布日2012.08.22

(21)申请号201210157916.9

(22)申请日2012.05.21

(71)申请人河南科技大学

地址471000河南省洛阳市涧西区西苑路

48号

(72)发明人李萍熊国欣梁高峰张晓丽

蔺利峰雷茂生宋孟丹罗恩斯

(74)专利代理机构洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120

代理人罗民健

(51)Int.CI.

GO2B5/20(2006.01)

B32B9/04(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

滤波范围540～760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法

(57)摘要

滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器及其制作方法，滤波器包括光子晶体层和镜头玻璃，光晶晶体层设置在镜头玻璃表面，光

子晶体层由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成(DE)?(ED)?型复合结构，所述的D为硫化锌，E为氟化镁，采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的单色光频率选择合适的光子晶体结构参数，实现单色光透过的滤波器，对选定频率单色光透过率达到100%的滤波效果。

至介质层

CN

CN102645694A

CN102645694A权利要求书1/1页

2

1.滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：滤波器包括光子晶体层(1)和镜头玻璃(2),光晶晶体层(1)设置在镜头玻璃(2)表面，光子晶体层(1)由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成(DE)?(ED)?型复合结构，所述的D为硫化锌，E为氟化镁，其中(DE)?表示5层D介质和E介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67.34nm,E介质层的厚度为114.674nm,该复合介质层设置在光子晶体层(1)的内侧，并与镜头玻璃连接；其中(ED)?表示5层E介质和D介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67.34nm,E介质层的厚度为114.674nm,该复合介质层设置在光子晶体层(1)外侧。

2.如权利要求1所述的滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：所述的D介质层的折射率分别是ND=2.35,E介质层的折射率为，D介质层的厚度为α==2A/4nD,E介质层的厚度为b=2/4xg,,中心波长取633nm。

3.如权利要求1所述的滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器的制作方法，其特征在于：

步骤一、取一个镜头玻璃作为基板，将基板双面抛光，备用；

步骤二、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度65°,时间10分钟；

步骤三、将基板放入真空镀膜机中，在其一个表面上进行D介质的镀膜，硫化锌折射率nD=2.35,中心波长取633nm时，其镀膜厚度为α,即67.34nm,镀膜后干燥冷却30

分钟，然后在基板镀有D介质膜层的表面进行E介质的镀膜，氟化镁的折射率Bg三1.38,,中

心波长取633nm时，其镀膜厚度为bb==24ng,,即114.674nm,镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤四、按照步骤三的方法交替进行D介质和E介质镀膜，直至镀好4层D介质膜层和4层E介质膜层，在基板上形成结构为(DE)4的光子晶体复合镀膜层；

步骤五、在光子晶体结构已经镀膜为(DE)4的基板结构上继续进行D介质硫化锌的镀膜，厚度为67.34nm,干燥冷却30分钟，在基板上形成结构为(DE)?D的光子晶体复合镀膜层；

步骤六、在基板上光子晶体结构已经镀膜为(D