CN102437086B 基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102437086B(45)授权公告日2014.09.24

(21)申请号201110361530.5

(22)申请日2011.11.16

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郝跃杨程戴显英奚鹏程

徐常春王希张瀚中张鹤鸣

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

(56)对比文件

CN102201364A,2011.09.28,说明书第27~31段.

US2006/0141748A1,2006.06.29,全文.CN101203943A,2008.06.18,全文.

肖哲.晶圆级机械致单轴应变Si技术研

究.《中国优秀硕士学位论文全文数据库》.中国

学术期刊(光盘版)电子杂志社，2010,(第11期),第39~62页.

审查员李利哲

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm;

CN102437086B3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)制作工艺

CN102437086B

CN102437086B权利要求书1/1页

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1.一种基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，其特征在于以成品的GeOI晶圆为原料，仅有机械弯曲与热退火两道工艺过程，只采用弯曲台和退火炉两台设备，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上，其最小曲率半径与GeOI晶圆尺寸相关；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm;3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度介于250℃至900℃之间；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤1)的弯曲台的曲率半径介于1.2m到0.35m之间；弯曲台材料采用ZG35Cr26Ni12耐热钢材料。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤4)的退火工艺退火时间与退火温度密切相关，为：在250℃下退火10小时；或者在400℃下退火6小时；或者在900℃下退火2.5小时。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述GeOI晶圆为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸的GeOI晶圆。

CN102437086B说明书1/6页

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基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变Ge01晶圆的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微电子技术领域，涉及半导体材料制作工艺技术。具体的说是一种制造SiN(氮化硅)埋绝缘层上单轴应变GeOI(GermaniumOnInsulater,绝缘层上锗)晶圆的新方法，能显著增强GeOI晶圆片的电子迁移率与空穴迁移率，提高GeOI器件与集成电路的电学性能和光学性能。

背景技术

[0002]半导体Ge的电子与空穴迁移率分别是Si的2.8倍和4.2倍，其空穴迁移率是所有半导体中最高的。与应变Si相似，应变Ge的载流子迁移率也有较大的提升，埋沟应变Ge的空穴迁移率可提高6-8倍。因