CN102683203A 一种制作内建应力硅纳米线的方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102683203A

(43)申请公布日2012.09.19

(21)申请号201210135986.4

(22)申请日2012.05.04

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路568号

(72)发明人黄晓橹顾经纶

(74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司

31213

代理人王敏杰

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

一种制作内建应力硅纳米线的方法

(57)摘要

本发明提供了一种内建应力硅纳米线的制作方法，采用后栅工艺(Gate-last),在进行栅极区域刻蚀时，SiNWFET区域侧面已有SiO?层保护，这时栅极区域的SiNW受到的反向应力方向是水平方向的，避免了硅纳米线反向内建应力不在水平

CN102683203A方向的问题，从而避免了硅纳米线中间部位可能发生的错位，甚至断裂问题。由于源漏PAD上表面高于SiNW,

CN102683203A

CN102683203A权利要求书1/2页

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1.一种制作内建应力硅纳米线的方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1,提供SOI硅片作为衬底，所述SOI硅片最上层为顶层硅层，顶层硅层下方为埋氧层；在顶层硅层上表面外延一层锗层或锗硅层；

采用锗氧化浓缩方法，在外延的锗层或锗硅层表面进行氧化处理，使Ge浓缩至下方的顶层硅层，使顶层硅层变为锗硅层，而最上方形成二氧化硅层；

去除最上方的二氧化硅层，从而衬底顶层由顶层硅层变为顶层锗硅层；

步骤2,在顶层锗硅层上依次外延一层硅层和锗硅层，通过光刻确定Si纳米线场效应晶体管制备区域，然后通过刻蚀所确定的Si纳米线场效应晶体管制备区域周围锗硅层、硅层和顶层锗硅层，形成Si纳米线场效应晶体管制备区域；所述Si纳米线场效应晶体管制备区域包括两端的源漏区衬垫、和连接在源漏区衬垫之间的Si纳米线区域；

将Si纳米线区域上下方的锗硅去除，Si纳米线区域与下方埋氧层之间形成空洞；然后通过热氧化工艺并湿法去除Si纳米线区域表面的氧化层，制作得到硅纳米线；

步骤3,在源漏区衬垫、硅纳米线以及氧化层表面沉积应变薄膜；然后在应变薄膜上沉积Dummy隔离介质层，将所述空洞用Dummy隔离介质填充。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SOI硅片中，埋氧层厚度为10~1000nm,顶层硅层厚度为10~200nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2中，将Si纳米线区域上下方的锗硅去除工艺中，所述刻蚀为选择性刻蚀技术。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述选择性刻蚀技术为：采用600~800℃的H?和HC1混合气体，利用次常压化学气相刻蚀法进行选择性刻蚀，其中HCl的分压大于300Torr。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应变薄膜为压应变薄膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应变薄膜为张应变薄膜。

7.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1,提供SOI硅片作为衬底，所述SOI硅片最上层为顶层硅层，顶层硅层下方为埋氧层；在顶层硅层上表面外延一层锗层或锗硅层；

采用锗氧化浓缩方法，在外延的锗层或锗硅层表面进行氧化处理，使Ge浓缩至下方的顶层硅层，使顶层硅层变为锗硅层，而最上方形成二氧化硅层；

去除最上方的二氧化硅层，从而衬底顶层由顶层硅层变为顶层锗硅层；步骤2,在顶层锗硅层上依次外延一层硅层和锗硅层，通过光刻确定Si纳米线场效应晶体管制备区域，然后通过刻蚀所确定的Si纳米线场效应晶体管制备区域周围锗硅层、硅层和顶层锗硅层，形成Si纳米线场效应晶体管制备区域；所述Si纳米线场效应晶体管制备区域包括两端的源漏区衬垫、和连接在源漏区衬垫之间的Si纳米线区域；

将Si纳米线区域上下方的锗硅去除，Si纳米线区域与下方埋氧层之间形成空洞；然后通过热氧化工艺并湿法去除Si纳米线区域表面的氧化层，制作得到硅纳米线；

步骤3,在源漏区衬垫、硅纳米线以及氧化层表面沉积应变薄膜；然后在应变薄膜上沉积Dummy