CN102636544A 一种多层薄膜otft甲醛气体传感器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102636544A

(43)申请公布日2012.08.15

(21)申请号201210119423.6

(22)申请日2012.04.23

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人太惠玲蒋亚东李娴但文超

(74)专利代理机构成都华典专利事务所(普通合伙)51223

代理人徐丰杨保刚

(51)Int.CI.

GO1N27/414(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种多层薄膜OTFT甲醛气体传感器及其制作方法

(57)摘要

AuF2AuFzTT

Au

F2

Au

Fz

T

T

SiO?

n+Si

CN102636544Aa、漏b、栅c三极，源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；其中源极和漏极为金/钛双层膜，以金材料做电极层，钛材料作为过渡层；源极和漏极之间设置敏感薄膜，该敏感薄膜为有机半导体材料-无机纳米氧化物多层薄膜。本发明将有机半导体材料与无机纳米氧化物相结合，采用多层膜的方式制备敏感薄膜，大大提高了传感器的灵敏度和响应速度，在实现甲醛气体检测的同时，解除了传统OTFT器件材料选择的局限性，并采用MEMS技术制备OTFT器件，具有体积小、成本低、可集成阵列等优点，为OTFT

CN102636544A

CN102636544A权利要求书1/1页

2

1.一种多层薄膜OTFT甲醛传感器，其特征在于：为底栅底接触器件构型，设有源极、漏极、栅极，源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；其中源极和漏极为金/钛双层膜，以金材料做电极层，钛材料作为过渡层；源极和漏极之间设置敏感薄膜，该敏感薄膜为有机半导体材料-无机纳米氧化物多层薄膜。

2.根据权利要求1所述的多层薄膜OTFT甲醛传感器，其特征在于，所述敏感薄膜的层数为2～4层。

3.根据权利要求1所述的多层薄膜OTFT甲醛传感器，其特征在于，所述源极和漏极的宽度和长度分别为1000～5000μm和5～25μm,厚度为50～150nm,绝缘层厚度为90~300nm。

4.多层薄膜OTFT甲醛传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

①采用具有外延层、单晶硅器件层的硅片作为衬底，并进行标准清洗；

②采用干氧-湿氧-干氧顺序的热氧化方法制备二氧化硅绝缘层；

③采用磁控溅射法沉积Ti/Au双层膜；

④对Ti/Au双层膜进行光刻、刻蚀、去胶和标准清洗工艺；

⑤划片；

⑥采用60μm硅铝丝分别在源漏栅三端极引出测试线路，其中背栅极采用导电胶烧结的方法连接，源漏电极采用压焊的方法实现连接；

⑦采用气喷、电喷、旋涂或气喷与真空蒸发相结合的工艺制备有机半导体～无机纳米氧化物多层薄膜。

5.根据权4所述的多层薄膜OTFT甲醛传感器的制作方法，其特征在于，其中步骤①所述硅片衬底厚度为300～600μm,电阻率小于0.02Ω·cm,外延层厚度为5～15μm,电阻率为2.0～8.0Ω·cm。

6.根据权4所述的多层薄膜OTFT甲醛传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤②中的二氧化硅介质层厚度为100～300nm。

7.根据权4所述的多层薄膜OTFT甲醛传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤⑦所述有机半导体-无机纳米氧化物复合薄膜中，有机相为导电聚合物类、低聚物类及小分子材料，无机相为纳米ZnO、IndiumTinOxide(ITO)、Ti0?、Fe?O?、WO?等纳米金属氧化物；有机半导体-无机纳米氧化物复合薄膜的厚度为70～200nm。

CN102636544A说明书1/4页

3

一种多层薄膜OTFT甲醛气体传感器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及微电子机械系统气体传感器和有机/无机纳米复合材料领域，具体涉及一种基于有机半导体材料-无机纳米金属氧化物的多层薄膜OTFT甲醛气体传感器及其制作方法。

背景技术

[0002]甲醛是一种对身体健康有着很大危害的