CN102437038A 一种在半导体表面制作欧姆接触的方法 （南京航空航天大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102437038A

(43)申请公布日2012.05.02

(21)申请号201110370594.1

(22)申请日2011.11.21

(71)申请人南京航空航天大学

地址210016江苏省南京市白下区御道街

29号

(72)发明人邱明波宋佳杰刘志东沈理达田宗军

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图2页

(54)发明名称

一种在半导体表面制作欧姆接触的方法

(57)摘要

CN102437038A一种在半导体表面制作欧姆接触的方法，适用于电火花加工，可以大大改善半导体的电火花加工性能，提高进电端的导电性，减小放电电压，并且使放电过程更加稳定。该方法简单快捷，成本低廉，效果显著。包括表面平整加工、脱脂除油、电

CN102437038A

CN102437038A权利要求书1/1页

2

1.一种在高阻半导体基体上制作欧姆接触的方法，其特征是先在半导体表面制备一层导电薄膜，并