CN102403651A 一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法 （南京大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102403651A

(43)申请公布日2012.04.04

(21)申请号201110359884.6

(22)申请日2011.11.15

(71)申请人南京大学

地址210093江苏省南京市鼓楼区汉口路

22号

(72)发明人周亚亭陈向飞

(74)专利代理机构南京天翼专利代理有限责任公司32112

代理人陈建和

(51)Int.CI.

HO1SHO1S

HO1S

5/0625(2006.01)5/12(2006.01)

5/223(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图2页

(54)发明名称

一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法

(57)摘要

护电极

CN102403651A欧姆接触层inP包层光栅2上限制层2多量子阴2下限创层2隧道缩层光栅1上限制层!多量子阱下限制层1InP缓冲层InP燕底n电极多波长分布反馈式半导体激光器，双波长半导体激光器器件，从下至上依次是：电极、n型InP衬底材料、外延n型InP缓冲层、非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层、应变InGaAsP多量子阱有源层1、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层；取样光栅