CN102403260A 一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102403260A

(43)申请公布日2012.04.04

(21)申请号201110361527.3

(22)申请日2011.11.16

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郝跃查冬戴显英楚亚萍孙腾达杨程张鹤鸣

(51)Int.CI.

HO1L21/762(2006.01)

HO1L21/18(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm;3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有SOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SOI晶