CN102683202A 一种制作内建应力硅纳米线、以及制作半导体的方法 （上海华力微电子有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102683202A

(43)申请公布日2012.09.19

(21)申请号201210133929.2

(22)申请日2012.05.03

(71)申请人上海华力微电子有限公司

地址201210上海市浦东新区张江高科技园

区高斯路568号

(72)发明人黄晓橹金秋敏

(74)专利代理机构上海新天专利代理有限公司

31213

代理人王敏杰

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/775(2006.01)

B82Y10/00(2011.01)

权利要求书2页说明书7页附图8页

(54)发明名称

一种制作内建应力硅纳米线、以及制作半导体的方法

(57)摘要

本发明提供了一种内建应力硅纳米线的制作方法，采用后栅工艺(Gate-last),在进行栅极区域刻蚀时，SiNWFET区域侧面已有无定形碳层保护，这时栅极区域的SiNW受到的反向应力方向是水平方向的，避免了硅纳米线反向内建应力不在

CN102683202A水平方向的问题，从而避免了硅纳米线中间部位可能发生的发生错位，甚至断裂问题。由于源漏