氘代氨气体杂质分析及成膜性能研究.pdfVIP

--

2026.02科学技术创新41

氘代氨气体杂质分析及成膜性能研究

123

桂娟，关子钧，李奥琦

，上海；，上海；

（1.上海集材汇智集成电路技术有限公司2.上海集成电路材料研究院

3.上海福劳斯检测技术有限公司，上海）

：在高温环境。这个

摘要氘代氨的化学键比氨强度高，下,氘代氨更加稳定且不易发生分解反应特性可提

高器件的效率和寿命。本文通过氦离子化气相色谱仪，研究了氘代氨气体中杂质气体理化性能测试。通过等离

子体增强化学气相沉积生长成膜，研究PECVD工艺条件对氘代氨镀膜材料性能影响。

：；杂质元素

关键词氘代氨；等离子体增强化学气相沉积

中图分类号院O659文献标识码院A文章编号院2096-4390渊2026冤02-0041-04

[7-11]

氘代氨是一种用氘同位素部分或全部代替普通氨与性能参数及成品率。

气中氢原子的化合物，其化学性质与氨气相似，但由于本文研究了氦离子化气相色谱仪对氘代氨中氢

，

氘原子质量比氢大N-D键比N-H键解离能高,氘代气、氧+氩气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等杂质

氨的化学键比氨强度高，因此在高温环境下更加稳定，气体的测试方法。此外，关注了氘代氨电子气体成膜工

不易发生分解反应。这种特性使得氘代氨在半导体制艺。氘代氨作为一种新型半导体材料，它在某些反应中

造过程中能够承受较高的温度和压力，提高了制造效表现出与普通氨气不同的反应速率或机理，可直接参

[1-3]掺杂改性、蚀刻等精密工艺。本文采用

率和产品质量。与外延生长、

氘代氨的分子质量较大，原子量比氨增加了一倍PECVD工艺，对衬底硅片采用氘代氨进行氮化层薄膜

以上，因此在电子传输过程中能够减少电子和晶格的沉积的可行性，及比较不同工艺对成膜成膜效果的影

碰撞，从而减少能量的损耗。这种特性使得氘代氨在响。

半导体器件中能够提高器件的效率和寿命。在半导体1试验部分

生产过程中，用于制作氮化硅和氧氮化硅的钝化薄1.1仪器

层，以及增加特定晶体管的寿命。氘代氨的电学性能气相色谱仪(GC-9560-PDD)；单片式PECVD机

优良，可以提高半导体器件的电学性能，进而提高器件拓偏仪（

台(科民电子)；膜厚仪F54（KLA）；UVISEL

的耐压能力、电流密度和电流速度等。材料科学领域，PLUS）。

氘代氨还可用于改变材料的表面性质，如提高表面张1.2试剂与样品

力或改变表面活性，从而改善材料的润湿性、抗污性等载气：氦气＞5N;驱动气：空气；

[4-6]

性能。标准气：如表1所示。由大连大特气体有限公司提

氘代氨作为一种电子特气，相较于一般的工业气供。

体