CN102446547A 交点自对准的可编程存储装置及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102446547A

(43)申请公布日2012.05.09

(21)申请号201110043837.0

(22)申请日2011.02.22

(30)优先权数据

12/899,2322010.10.06US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人龙翔澜赖二琨

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人宋焰琴

(51)Int.CI.

G11C11/56(2006.01)

HO1L27/24(2006.01)

HO1L45/00(2006.01)

权利要求书2页说明书16页附图24页

(54)发明名称

交点自对准的可编程存储装置及其制作方法

(57)摘要

CN102446547A本发明公开了一种可编程存储装置和制作可编程存储阵列的方法。该可编程存储阵列中，相变存储单元是在存取装置处与在位线与字线的交点处自对准。该制作可编程存储阵列的方法中，使用线掩模以定义位线和另一线掩模以定义字线，前段工艺(FEOL)存储单元是在同一层如同多晶硅栅，位线与字线在该装置上相交，且该存储阵列存储单元形成在位线与字线的相交处。本发明可以

CN102446547A

CN102446547A权利要求书1/2页

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1.一种可编程存储装置，其特征在于，包括：

具有包括一周边区域与一存储阵列区域的一表面的一半导体衬底本体；

在该存储阵列区域的一可编程存储阵列以及在该周边区域的该衬底表面的一逻辑装置层；

该存储阵列包括：形成在该衬底本体的多个存取装置以及形成在该衬底表面的多个可编程存储元件，其中这些存取装置与这些存储元件是在多个位线与多个字线的多个交点处对准，以及这些位线是与这些可编程存储元件与这些存取装置自对准。

2.根据权利要求1所述的可编程存储装置，其特征在于，这些字线是与这些可编程存储元件与这些存取装置自对准。

3.根据权利要求1所述的可编程存储装置，其特征在于，在该存储阵列内的多个存储单元具有等于4D2的一面积，D是关于字线宽度与字线之间的分隔距离的总和的二分之一。

4.根据权利要求1所述的可编程存储装置，其特征在于，在该存储阵列内的多个存储单元具有等于4D2的一面积，D是关于使用于制造这些存储单元的一光刻工艺的名义特征尺寸。

5.一种制作一可编程存储阵列的方法，其特征在于，包括：

提供具有覆盖一存储阵列区域与一周边区域的一表面的一半导体衬底；

沉积在该衬底表面上的一栅氧化层和一栅层；

使用一共同掩模在该存储阵列区域与该周边区域两者上形成平行于一第一方向的多个第一沟道绝缘结构；

移除该共同掩模并形成在该栅层与该第一沟道绝缘结构上的一氮化硅层；

形成平行于垂直该第一方向的一第二方向的多个第二沟道；

形成在该存储阵列区域上的一介电填充；

在该周边区域使用一逻辑掩模图案化该周边栅氧化层与栅层以形成多个逻辑栅；

在该周边区域执行一装置注入以形成源极与漏极区域；

形成在该存储阵列区域与该周边区域上的一介电填充并平坦化该介电填充；

移除该氮化硅层与该栅层与在该存储阵列上的该栅氧化层以形成多个字线沟道；

形成在该存储阵列区域内的该第一与第二沟道绝缘结构上的多个间隙物以形成孔隙；以及

在该字线沟道内形成至少一存储单元或者字线。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括一或者更多：

在形成该第二沟道后，形成一第一存储阵列硅化物；

先于形成在该存储阵列区域与该周边区域上的该介电填充前，形成一周边区域硅化物；

先于形成在该存储阵列区域内的这些间隙物前，形成一第二存储硅化物。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在下列一或者更多阶段形成存储存取装置注入：

先于沉积在该衬底表面上的该栅氧化层前，

在形成该第二沟道后，或者

先于形成在该存储阵列区域内的这些间隙物前。

CN102446547A权利要求书2/2页

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8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在下列一或者更多阶段形成覆盖该周边区域的该衬底的周边装置注入：

先于沉积在该衬底表面上的该栅氧化层前，或者

在形成该逻辑栅后。

9.根据权利要求5所述的方