CN102928473A 一种低压柔性otft氨气传感器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102928473A

(43)申请公布日2013.02.13

(21)申请号201210481524.8

(22)申请日2012.11.23

(71)申请人电子科技大学

地址610000四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人太惠玲蒋亚东张波谢光忠

(74)专利代理机构成都华典专利事务所(普通合伙)51223

代理人徐丰杨保刚

(51)Int.CI.

GO1N27/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种低压柔性OTFT氨气传感器及其制作方法

(57)摘要

P3HTAuAu本发明公开了一种低压柔性OTFT氨气传感器及其制作方法，为底栅底接触器件构型，设有源

P3HT

Au

Au

CN102928473AP(VDF-TrFE-CTFE)ITOS、漏D、栅G三极，绝缘层和有源层。栅极采用氧化铟锡(ITO)薄膜材料，镀在柔性塑料衬底上；偏氟乙烯(VDF)、三氟乙烯(TrFE)、三氟氯乙烯(CTFE)的三元共聚物P(VDF-TrFE-CTFE)作绝缘层；以有一定柔性的金薄膜做源漏电极层；源极和漏极之间制备对氨气响应较好的有机敏感薄膜P3HT或P3HT/纳米氧化物复合膜等。本发明利用有较高介电常数的偏氟乙烯的三元共聚物取代SiO?,制作与有机敏感薄膜有较好匹配的有机绝缘层

CN102928473A

P(VDF-TrFE-CTFE)

ITO

CN102928473A权利要求书1/1页

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1.一种低压柔性OTFT氨气传感器，其特征在于：为底栅底接触器件构型，设有源极、漏极、栅极，栅极采用ITO柔性衬底；其中以金薄膜作源极和漏极电极层；源极和漏极之间制备对氨气响应较好的P3HT有机敏感薄膜或P3HT/纳米氧化物复合膜等；源漏极与栅极间的绝缘层采用介电系数较高且与有机敏感膜接触较好的P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物。

2.根据权利要求1所述的低压柔性OTFT氨气传感器，其特征在于，栅极电压为-3V~-5V。

3.根据权利要求1所述的低压柔性OTFT氨气传感器，其特征在于，所述P3HT或P3HT/纳米氧化物复合敏感薄膜厚度为50～150nm,采用的绝缘层材料是P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物，厚度为50～200nm。

4.低压柔性OTFT氨气传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

①采用ITO柔性塑料作为衬底，并进行标准清洗；

②利用三种单体化学合成P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物；

③用旋涂的方法将②中合成的材料来制备有机绝缘层；

④制备源漏电极掩膜版；

⑤结合掩膜版，真空蒸镀源漏电极；

⑥采用柔性塑料封装，用60μm硅铝丝分别在源漏栅三端极引出测试线路，采用压焊的方法实现连接；

⑦利用旋涂法制备P3HT有机半导体薄膜或P3HT/纳米氧化物复合薄膜等。

5.根据权利要求4所述的低压柔性OTFT氨气传感器的制作方法，其特征在于，其中步骤③所述有机绝缘层材料是P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物，厚度为50～200nm,相对介电常数为50,可将栅压降到-3v~-5V。另外，绝缘层材料还可以选择同类型其他三元共聚物，如P(VDF-TrFE-CFE)等。

6.根据权利要求4所述的低压柔性OTFT氨气传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤⑦中的对氨气响应较好的P3HT有机半导体薄膜或P3HT/纳米氧化物复合薄膜等厚度为50～150nm。

CN102928473A说明书1/4页

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一种低压柔性OTFT氨气传感器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及柔性电子传感器和有机聚合物材料领域，具体涉及一种基于P(VDF-TrFE-CTFE)三元共聚物作为绝缘层的低压柔性OTFT氨气传感器及其制作方法。

背景技术

[0002]氨气是一种工业应用广泛的有毒气体，无色，有刺激性恶臭味，它对动物或人体的上呼吸道有刺激和腐蚀作用，常被吸附在