CN102904159B 一种基于bcb键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 （江苏尚飞光电科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102904159B

(45)授权公告日2015.03.18

(21)申请号201210418410.9

(22)申请日2012.10.26

(73)专利权人江苏尚飞光电科技有限公司

地址226009江苏省南通市苏通科技产业园

纬14路30号

专利权人中科院南通光电工程中心

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

(72)发明人盛振王智琪甘甫烷武爱民王曦邹世昌

(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人余明伟

(56)对比文件

CN101667715B,2010.10.27,全文.

于丽娟等.硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制.《半导体学报》.2007,第28卷(第7期),1117-1120.

韩伟华等.硅基键合激光器的研究进展.《半导体光电》.2000,第21卷(第2期),77-84.

申高等.Nd:YAG/Cr:YAG键合晶体的355nm激光器.《中国激光》.2008,第35卷(第2

期),191-194.

审查员于晓芳

(51)Int.CI.

HO1S5/323(2006.01)

HO1S5/024(2006.01)

HO1