CN102904159A 一种基于bcb键合工艺的混合集成激光器及其制作方法 （江苏尚飞光电科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102904159A

(43)申请公布日2013.01.30

(21)申请号201210418410.9

(22)申请日2012.10.26

(71)申请人江苏尚飞光电科技有限公司

地址226009江苏省南通市苏通科技产业园

纬14路30号

申请人中科院南通光电工程中心

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

(72)发明人盛振王智琪甘甫烷武爱民王曦邹世昌

(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人余明伟

(51)Int.CI.

HO185/323(2006.01)

HO185/024(2006.01)

HO1S5/22(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法

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CN102904159A本发明提供一种基于BCB(苯并环丁烯)键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-V族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-V族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-V族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-V族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明

CN102904159A

CN102904159A权利要求书1/2页

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1.一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1)提供一包括硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片及一包括底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-V族激光器外延层，于所述SOI基光波导芯片表面形成BCB覆层，并通过该BCB覆层键合所述SOI光波导芯片及所述Ⅲ-V族激光器外延层；

2)采用干法刻蚀工艺制作贯穿所述Ⅲ-V族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔，于所述热沉通孔内淀积多晶硅热沉并采用化学机械抛光方法去掉多余的多晶硅；

3)采用干法刻蚀工艺刻蚀所述Ⅲ-V族激光器外延层，去除部分的顶接触层、隧道结及有源层，制作微盘谐振腔；

4)采用湿法刻蚀工艺刻蚀底接触层获得底接触平台；

5)于上述结构表面形成隔离层，刻蚀所述隔离层，形成与所述多晶硅及顶接触层对应的第一通孔及与所述底接触层平台对应的第二通孔，最后于所述第一通孔内制作与所述多晶硅热沉及顶接触层连接的顶电极，并同时于所述第二通孔内制作与所述底接触层连接的底电极。

2.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于：所述硅波导结构为条形硅波导结构。

3.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于：所述有源层包括依次层叠的第一限制层、多量子阱、第二限制层以及P型结。

4.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于：步骤2)中采用增强型等离子气相沉积工艺及化学机械抛光工艺于所述热沉通孔内填充多晶硅热沉。

5.根据权利要求1所述的基于BCB键合工艺的混合集成激光器的制作方法，其特征在于：步骤5)所述的隔离层为氮化硅层，采用增强型等离子气相沉积法形成所述氮化硅层。

6.一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器，其特征在于，所述混合集成激光器至少包括：

SOI基光波导芯片，包括硅衬底、结合于所述硅衬底表面的埋氧层及制作于所述埋氧层表面的硅波导结构；

BCB覆层，覆盖于所述埋氧层及硅波导结构表面；

Ⅲ-V族激光器外延层，包括结合于所述BCB覆层表面底接触层、部分结合于所述底接触层的有源层、结合于所述有源层的隧道结及结合于所述隧道结的顶接触层；

热沉通孔，贯穿所述Ⅲ-V族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层；

多晶硅热沉，填充于所述热沉通孔内；

隔离层，结合于所述Ⅲ-V族激光器外延层表面，且具有用于制作连接所述顶接触层及多晶硅热沉的顶电极的第一通孔、以及用于制作底电极的第二通孔；