2025 年大学电子科学与技术（半导体器件）专项测试卷.docVIP

2025年大学电子科学与技术（半导体器件）专项测试卷

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______

一、单项选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填在括号内）

1.下列关于半导体的说法，错误的是（）

A.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间

B.温度升高时，半导体的电阻会增大

C.半导体可用于制造二极管、三极管等电子元件

D.纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电性能会发生显著变化

2.对于N型半导体，以下说法正确的是（）

A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子

B.空穴是多数载流子，电子是少数载流子

C.只有电子一种载流子

D.只有空穴一种载流子

3.二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（）

A.电流很小，电压降很大

B.电流很大，电压降很小

C.电流和电压都很小

D.电流和电压都很大

4.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

5.某三极管的β=50，当基极电流Ib=20μA时，集电极电流Ic为（）

A.1mA

B.2mA

C.50mA

D.100mA

6.半导体器件的反向电流随温度升高而（）

A