CN102789995A 制作金属凸块与熔接金属的制程方法 （稳懋半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102789995A

(43)申请公布日2012.11.21

(21)申请号201110131307.1

(22)申请日2011.05.20

(71)申请人稳懋半导体股份有限公司地址中国台湾桃园县

(72)发明人萧献赋

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨

(51)Int.CI.

HO1L21/60(2006.01)

HO1L23/00(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

制作金属凸块与熔接金属的制程方法

(57)摘要

CN102789995A一种提升金属凸块结构表面熔接金属的共面性的制程方法，适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，且当元件表面具有不同尺寸的金属凸块时，可消除或减少因凸块大小不同所造成的熔接金属经高温处理后高度不均匀的问题，藉此改善下游测试与封装的困难度。为达上述目的，本发明提出一种利用两道制程的方法，分别控制金属凸块面积与熔接金属面积，改善熔接金属共面性问题，其步骤包含：一第一道制程，用以制作金属凸块结构于半导体元件表面；以及一第二道制

CN102789995A

CN102789995A权利要求书1/1页

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1.一种制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，其步骤包括：

一第一道制程，用以制作金属凸块结构于一半导体元件表面；以及

一第二道制程，用以制作该金属凸块表面不同面积的熔接金属结构；其中，

所述第一道制程包含下列步骤：

涂布或压合一第一光阻层于该半导体元件表面；

以曝光显影方法定义金属凸块结构的位置及几何形状；

以金属镀膜方法镀上金属凸块结构的金属材料；

以及

去除第一光阻层，以形成金属凸块结构；

所述第二道制程包含下列步骤：

涂布或压合一第二光阻层于半导体元件及金属凸块结构表面；

以曝光显影方法定义熔接金属的位置及几何形状；

以金属镀膜方法镀上一熔接金属层的金属材料；以及

去除第二光阻层，形成熔接金属于金属凸块结构之上。

2.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，所述第一道制程包含的步骤中，在去除第一光阻层之前，进一步包含以金属镀膜方法镀上一熔接金属的浸润层。

3.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，所述第一道制程及所述第二道制程中的金属镀膜方法是溅镀、蒸镀或电镀。

4.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的位置及几何形状是依金属凸块结构的位置与几何形状。

5.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，金属凸块结构的金属材料是铜。

6.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，金属凸块结构的金属材料是金。

7.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的金属材料是铟。

8.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的金属材料是锡。

9.如权利要求1所述的制作金属凸块与熔接金属的制程方法，其特征在于，熔接金属层的金属材料是以锡为主要成份的合金或是以铟为主要成份的合金。

CN102789995A说明书1/3页

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制作金属凸块与熔接金属的制程方法

技术领域

[0001]本发明有关一种提升金属凸块表面熔接金属共面性的制程方法，尤指一种制程方法适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，而且当元件表面具有不同尺寸的金属凸块时，可消除或减少因凸块大小不同所造成的熔接金属经高温处理后高度不均匀的问题，藉此改善下游测试与封装的困难度。

背景技术

[0002]近年来，随着半导体技术的快速发展，半导体晶片的封装技术也日益进步。在砷化镓晶片封装方面，如功率放大器模组或射频元件，传统上以线接(wirebond)封装技术为主，也就是利用金线以点焊的方式交互连接晶片中各元件的金属接点。近年来线接封装技术已逐渐被覆晶(flipchip)式金属凸块熔接(bumpbond)封装技术所取代。覆晶式凸块熔接技术的主要优点在于成本较低，