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配位化学考试题库

一、填空题（每题2分，共20分）

1.在配位化合物[Cu(NH3)4]SO4中，中心离子是______，配体是______，配位数为______，外界离子是______。

2.根据晶体场理论，高自旋状态的d轨道电子排布为______，低自旋状态的d轨道电子排布为______。

3.在配位化合物中，内界是指______，外界是指______。

4.配位化合物[Co(NH3)6]Cl3的中心离子是______，配体是______，配位数为______，外界离子是______。

5.根据配位键理论，配位键的形成是由于______与______之间的相互作用。

6.在配位化合物中，中心离子的电荷数等于______与______之和。

7.根据晶体场理论，八面体场中d轨道的能级分裂为______和______。

8.配位化合物[Fe(CN)6]4-的中心离子是______，配体是______，配位数为______，外界离子是______。

9.根据配位键理论，配位键的强度与______和______有关。

10.在配位化合物中，内界和外界之间的相互作用可以通过______来描述。

二、判断题（每题2分，共20分）

1.配位化合物[Co(NH3)6]Cl3是内界化合物。（）

2.根据晶体场理论，高自旋状态的d轨道电子排布为t2g6eg2。（）