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《GBT+24578-2024半导体晶片表面金属沾污的测定

全反射X射线荧光光谱法》练习题试卷

一、单选题（共15题，每题2分，共30分）

1.GB/T24578-2024标准规定的方法主要用于测定（）。

A.半导体晶片体材料中的金属元素含量

B.半导体晶片表面金属沾污的原子浓度

C.半导体晶片表面氧化层厚度

D.半导体晶片的电阻率和少子寿命

2.该方法可检测的金属元素范围覆盖周期表原子序数（）。

A.H~He

B.Li~U

C.S~U

D.Fe~Au

3.全反射X射线荧光光谱法（TXRF）的检出限通常可以达到（）量级。

A.百分含量（wt%）

B.百万分之一（ppm）

C.十亿分之一（ppb）

D.10^10atoms/cm²

4.该方法适用的样品类型不包括（）。

A.硅单晶抛光片

B.砷化镓外延片

C.封装好的芯片成品

D.锗单晶抛光片

5.TXRF方法的基本原理是：入射X射线以（）入射到样品表面。

A.大于临界角的角度

B.小于或等于临界角的角度

C.垂直角度

D.任意角度

6.在临界角附近发生全反射时，X射线穿透样品的深度很浅，主要激发（）的原

子。

A.样品内部

B.样品表面和近表面

C.样品台

D.空气

7.样品表面的荧光X射线由（）检测。

A.光电倍增管

B.硅锂（Si(Li)）或硅漂移探测器（SDD）

C.光电二极管

D.电离室

8.标准中提到的“掠射角”是指（）。

A.入射X射线与样品表面法线的夹角

B.入射X射线与样品表面的夹角

C.荧光X射线出射方向与样品表面的夹角

D.探测器接收方向与样品表面的夹角

9.为了进行定量分析，通常需要在样品表面加入已知量的（）作为内标。

A.硅元素

B.基体元素

C.待测元素

D.非待测金属元素（如钴、镓）

10.内标元素的添加方式通常是（）。

A.在晶片生长过程中掺杂

B.将含有内标元素的标准溶液滴加在样品表面并干燥

C.在样品背面镀膜

D.与样品一起熔融

11.校准曲线是通过测量（）的荧光强度与已知表面浓度建立的。

A.一系列不同浓度的体标准样品

B.一系列含有不同已知表面浓度待测元素和内标元素的校准样品

C.纯基体样品

D.实际样品

12.影响TXRF测量准确性的一个重要干扰因素是（）。

A.样品厚度不均匀

B.样品表面粗糙度

C.环境湿度

D.环境光照

13.标准建议，在实际应用中应结合样品特性合理选择（），以减小干扰。

A.样品尺寸和形状

B.掠射角和设备参数

C.分析时间和环境温度

D.内标元素种类

14.该方法对旧版标准（GB/T24578-2009）主要进行了（）。

A.技术更新与整合

B.完全重写，原理改变

C.仅更新了发布日期

D.删除了所有试验步骤

15.实施本标准的主要目的是为相关测试提供统一规范，有助于提升测量结果的

（）。

A.绝对准确度

B.重复性与可比性

C.测量速度

D.仪器成本效益

二、多选题（共10题，每题3分，共30分）

1.根据文档概要，GB/T24578-2024标准明确的内容包括（）。

A.方法原理

B.干扰因素

C.试验条件

D.校准及试验步骤

E.精密度要求

2.该方法适用于测定（）的表面金属沾污。

A.硅单晶抛光片

B.硅外延片

C.砷化镓单晶抛光片

D.砷化镓外延片

E.玻璃衬底

3.TXRF方法相对于其他表面分析技术的优势可能包括（）。

A.非破坏性

B.快速

C.可同时分析多种元素

D.对表面状态敏感

E.绝对定量无需标样

4.标准中提到的“试验条件”可能包括（）。

A.X射线源类型和功率

B.掠射角设置

C.探测器类型和能量分辨率

D.测量环境（如真空度）

E.样品旋转速度

5.样品制备步骤可能包括（）。

A.清洗以去除原有沾污

B.表面氧化层去除

C.内标溶液滴加与干燥

D.样品装载至样品台

E.表面镀金增强导电性

6.校准过程中，校准样品的制备要求包括（）。

A.基体与待测样品相同或相似

B.表面已知浓度的待测元素

C.表面已知浓度的内标元素

D.表面状态（如粗糙度）与待测样品一致

E.尺寸必须完全一致

7.可能对TXRF测量产生干扰的因素有（）