项目一 常用半导体器件.pptVIP

复合管的类型由哪个管子决定？复合管和普通三极管相比，具有哪些特点？通常用于哪些场合？三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？使用三极管时，只要①集电极电流超过ICM值；②耗散功率超过PCM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。上述说法哪个是对的？用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？UBE＝0.7V，UCE＝0.3V；UBE＝0.7V，UCE＝4V；UBE＝0V，UCE＝4V；UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V；UBE＝0V，UCE＝－4V。NPN硅管，饱和区NPN硅管，放大区NPN硅管，截止区PNP锗管，放大区PNP锗管，截止区1.4场效应管双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。上图所示为单极型三极管产品实物图。单极型管也称为场效应管，具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力较强以及集成度较高的一系列优点。1.4.1单极型三极管概述单极型三极管可用英文缩写FET表示，与双极型三极管BJT相比，无论是内部的导电机理还是外部的特性曲线，二者都截然不同。FET属于一种新型的半导体器件，尤为突出的是：FET具有高达107~1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小，体积小、重量轻、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。这些优点扩展了单极型三极管的应用范围，单极型三极管在工程实际中通常用于：①放大；②在多级放大器输入级用作阻抗变换；③用作可变电阻；④用作恒流源；⑤用作电子开关。1.4.2场效应管的结构组成场效应管分为绝缘栅场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）两种类型，这两种类型的单极型三极管都具有N沟道和P沟道之分，其中MOS管还分为增强型和耗尽型两种。结型场效应管中，其中N沟道结型场效应管由一个P型半导体构成的阻碍层环绕N型半导体组成；P沟道则由一个N型半导体构成的阻碍层环绕P型半导体组成。虽然在结构上和MOS管存在差异，但工作原理上JFET管与MOSFET管完全一样。绝缘栅型管是由金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）构成的，由此简称为MOS管。MOS管由二氧化硅绝缘层引出的金属铝电极称为栅极，由两个P型或N型的高掺杂区引出的金属铝电极称为漏极和源极。不同类型FET管的电路图符号DSGB衬底N沟道增强型MOS管DSGB衬底P沟道增强型MOS管DSGB衬底N沟道耗尽型MOS管DSGB衬底P沟道耗尽型MOS管由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。虚线表示增强型实线表示耗尽型DSGN沟道结型FET管DSGP沟道结型FET管MOSFET结构组成N+N+以P型硅为衬底BDGS二氧化硅(SiO2)绝缘保护层两端扩散出两个高浓度的N区N区与P型衬底之间形成两个PN结由衬底引出电极B由高浓度的N区引出的源极S由另一高浓度N区引出的漏极D由二氧化硅层表面直接引出栅极G杂质浓度较低，电阻率较高。MOS管电路的连接形式N+N+P型硅衬底BDGS+－UDS+－UGS漏极与源极间电源UDS栅极与源极间电源UGS如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般由导电沟道的不同而异：P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位。以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。当栅源极间电压UGS=0时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。N+N+P型硅衬底BDGS不存在原始沟道+－UDSUGS=0此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。PPN结PN结ID=01.4.3场效应管的工作原理怎样才能产生导电沟道呢？在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，