CN103928504A 基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103928504A

(43)申请公布日2014.07.16

(21)申请号201410168281.1

(22)申请日2014.04.23

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人姜腾许晟瑞郝跃张进成

张春福林志宇雷娇娇陆小力

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

29/267(2006.01)

21/205(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法

在衬底上蒸发金属Ti

在衬底上蒸发金属Ti薄膜

将衬底基片放入

MOCVD反应室中

制备TiN层

生长极性InGaN纳米线

将衬底基片从MOCVD反应室取出

本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti;(2)将有金属Ti的