CN103915434A 一种GaN基超薄势垒增强耗尽模式反相器、环振及其制作方法 （长安大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103915434A

(43)申请公布日2014.07.09

(21)申请号201410122687.6

(22)申请日2014.03.28

(71)申请人长安大学

地址710064陕西省西安市南二环中段33

号

(72)发明人全思徐小波李演明文常保谢元斌巨永锋郝跃

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人徐文权

(51)Int.CI.

HO1L27/02(2006.01)

HO1L21/77(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法

(57)摘要

CN103915434A本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1

CN103915434A

CN103915434A权利要求书1/2页

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1.一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：该反相器包括依次设置于衬底上的成核层、缓冲层、插入层、势垒层以及帽层，帽层、势垒层、插入层以及部分缓冲层经刻蚀形成台面，台面将反相器隔离为两个器件区域，其中一个器件区域的异质结上设置有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极，第一源电极以及第一漏电极直接蒸发在帽层上，第一栅电极位于第一源电极与第一漏电极之间，第一源电极上、第一漏电极上、第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极所在位置以外的帽层上及台面下的缓冲层上设置有表面SiN层，表面SiN层上及第一栅电极处的帽层上设置有栅介质Al?O?层，第一栅电极蒸发在栅介质Al?0?层上，另一个器件区域的异质结上设置有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极，第二源电极以及第二漏电极直接蒸发在帽层上，第二栅电极位于第二源电极与第二漏电极之间，第二源电极上、第二漏电极上、第二源电极以及第二漏电极所在位置以外的帽层上及台面下的缓冲层上设置有表面SiN层，表面SiN层上设置有栅介质Al?O?层，第二栅电极蒸发在栅介质Al?O?层上，两个器件区域的栅电极及栅介质Al?O?层上设置有保护SiN层，保护SiN层上设置有互联金属，互联金属和下层各个电极对应相连。

2.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述衬底的材料为蓝宝石或SiC,成核层的材料为A1N,缓冲层的材料为GaN,插入层的材料为A1N,势垒层的材料为Alo.3Gao.?N,帽层的材料为GaN。

3.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述势垒层的厚度为3-5nm。

4.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述表面SiN层的厚度为2-4nm,表面SiN层采用接触反应化学汽相沉积工艺形成。

5.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述栅介质Al?O?层厚度为3-5nm,栅介质Al?O?层采用原子层沉积工艺形成。

6.一种基于权利要求1所述GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器的环振，其特征在于：该环振由2n+1个所述反相器级连而成，n为自然数。

7.根据权利要求6所述一种基于GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器的环振，其特征在于：2n+1个反相器通过互联金属集成在同一圆片上。

8.一种制作如权利要求1所述GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在衬底基片上生长A1N成核层；

2)在A1N成核层上生长1-3μm厚的GaN缓冲层；

3)在GaN缓冲层上生长1.5nm厚的A1N插入层；

4)在A1N插入层上生长3-5nm厚的Alo.3Gao.?N势垒层；

5)在Alo.3Gao.?N势垒层上生长2nm厚的GaN帽层；