CN103872045A GaN基超薄势垒增强耗尽模式反相器、环振及其制作方法 （长安大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103872045A

(43)申请公布日2014.06.18

(21)申请号201410123317.4

(22)申请日2014.03.28

(71)申请人长安大学

地址710064陕西省西安市南二环中段33

号

(72)发明人全思徐小波张林谷文萍文常保闫茂德郝跃

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人徐文权

(51)Int.CI.

HO1L27/02(2006.01)

HO1L21/77(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法

(57)摘要

CN103872045A本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气，器