CN103794643A 一种基于槽栅高压器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103794643A

(43)申请公布日2014.05.14

(21)申请号201410033269.X

(22)申请日2014.01.22

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃

(74)专利代理机构北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368

代理人郭官厚

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

29/10(2006.01)21/336(2006.01)

29/778(2006.01)

权利要求书2页说明书5页

附图2页

(54)发明名称

一种基于槽栅高压器件及其制作方法

(57)摘要

CN103794643A本发明公开了一种基于槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、A?N隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的部分区域上方外延有线性AlGaN层，线性AlGaN层的部分区域上方外延有p-GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减

CN103794643A

CN103794643A权利要求书1/2页

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1.一种基于槽栅高压器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、A1N隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的部分区域上方外延有线性AlGaN层，线性AlGaN层的部分区域上方外延有p-GaN层，p-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、GaN和Mg0中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，所述AlGaN势垒层中A1的组分含量在0～1之间，Ga的组分含量与A1的组分含量之和为1。

4.根据权利要求1所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，所述线性AlGaN层中A1的组份含量在0～1之间，且从x线性增加到y,线性AlGaN层的厚度为L,其中任一厚度L1处的A1组分含量为(y-x)×L1/L。

5.根据权利要求1所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，所述钝化层内包括SiN、Al?O?和HFO?中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，所述栅极和复合漏极之间的p-GaN层和线性AlGaN层同时存在的区域宽度d?0,仅有线性AlGaN层的区域宽度d?0,仅有AlGaN势垒层的区域宽度为d?≥0.5μm。

7.根据权利要求1至7中任一项所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，用A1GaN沟道层代替GaN沟道层，AlGaN沟道层中A1的组分含量小于A1GaN势垒层中A1的组分含量。

8.根据权利要求8所述的一种基于槽栅高压器件，其特征在于，用InGaN层代替p-GaN层。

9.一种基于槽栅高压器件的制作方法，其特征在于，包括：

(1)对外延生长的p-GaN/线性AlGaN/AlGaN/GaN材料进行有机清洗的步骤；

(2)对清洗干净的A1GaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀，形成有源区台面的步骤；

(3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻，形成p-GaN和线性AlGaN层的刻蚀区，再放入ICP干法刻蚀反应室中，将栅极和源极之间全部区域以及栅极、源极和复合漏极上方的p-GaN层以及线性AlGaN层均刻蚀掉的步骤；

(4)对器件进行光刻，然后放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au,并进行剥离，最后在氮气环境中进行850℃,35s的快速热退火，形成欧姆接触的步骤；

(5)对制备好欧姆接触的器件进行光刻，形