CN103474481A 一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法 （北京汉能创昱科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103474481A

(43)申请公布日2013.12.25

(21)申请号201310424725.9

(22)申请日2013.09.17

(71)申请人北京汉能创昱科技有限公司

地址102209北京市昌平区北七家镇宏福创

业园15号院

(72)发明人兰立广童翔陈振张庆钊

李琳琳黄凯特顾世海丁建

(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理

有限公司11250代理人寇海侠

(51)Int.CI.

HO1L

HO1LHO1LHO1L

31/0216(2006.01)

31/0236(2006.01)

31/0224(2006.01)31/18(2006.01)

权利要求书3页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN103474481A本发明涉及一种高效背接触晶体硅太阳能电池及其制作方法，通过在非受光面钝化层制作P型区通孔及N型区通孔，且所述同种类型的通孔位于同一直线上，不同类型的通孔所在的直线不存在交点，然后将正电极和负电极分别与P型区通孔和N型区通孔电气连接，将从P型区汇流导电带以及N