CN103515471A 一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法 （上海宇兆能源科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103515471A

(43)申请公布日2014.01.15

(21)申请号201210203759.0

(22)申请日2012.06.19

(71)申请人上海宇兆能源科技有限公司

地址201816上海市嘉定区华亭镇霜竹公路

1281号

(72)发明人郭文林王建安许琦尹忠萍

(74)专利代理机构上海科盛知识产权代理有限公司31225

代理人林君如

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书9页

(54)发明名称

一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法

(57)摘要

CN103515471A本发明涉及一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，通过表面结构处理、磷扩散、硼扩散、刻蚀、PECVD沉积、印刷及烧结步骤，制作得到单晶硅太阳能双面电池。与现有技术相比，本发明制作得到的太阳能电池的转化效率有了显著的提高，

CN103515471A

CN103515471A权利要求书1/2页

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1.一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)表面结构处理：在硅片表面制作金字塔结构，降低光的反射；

(2)磷扩散：在经步骤(1)处理后的硅片表面进行p-n结制作；

(3)硼扩散：在经步骤(2)处理后的硅片进行反面的硼扩散；

(4)刻蚀：在经步骤(3)处理后的硅片进行边缘处理，保证光生电流的输出；

(5)PECVD沉积：在经步骤(4)处理后的硅片进行正反双面氮化硅沉积；

(6)印刷：在经步骤(5)处理后的硅片上下表面进行电极制作，保证光生电流的收集；

(7)烧结：在经步骤(6)处理后的硅片进行高温处理，保证电极和硅片良好的欧姆接触，提高转化效率，即制作得到单晶硅太阳能双面电池。

2.根据权利要求1所述的一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，其特征在于，步骤

(1)具体流程如下：

a、将硅片置于减薄液中进行初步反应，反应温度为80～90℃,反应时间为0.5~2min,减薄液采用30wt%的NaOH溶液；

b、将初步反应完成后的硅片用去离子水漂洗干净，再将其置于制绒液中进行表面结构处理，处理温度为80～90℃,处理时间为30～40min,制绒液采用1.2wt%的NaOH溶液；

c、将已经完成表面结构处理的硅片用去离子水漂洗干净，再将其置于酸洗液中进行表面去离子处理，处理温度为60～70℃,处理时间为15～25min,酸洗液为HC1:H?O?:H?O

按重量比为1:1:6的混合溶液；

d、将已经完成表面去离子处理的硅片用去离子水进行漂洗，并烘干。

3.根据权利要求1所述的一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，其特征在于，步骤

(2)具体流程如下：

a、将经步骤(1)处理后的硅片放入扩散炉中，控制扩散炉的温度升至800～860℃;

b、通入氧气，控制流量为1.2～1.5L/min,氧气经过三氯氧磷的容器后进入扩散炉；

c、控制上述反应进行40～50min,取出硅片；

其中，在整个处理过程中通入氮气流量为50L/min,在扩散炉的炉腔关闭后再另外通入流量为0.3-0.5L/min的氮气。

4.根据权利要求1所述的一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，其特征在于，步骤

(3)具体流程如下：

a、将经步骤(2)处理后的硅片进行反向并和片，放入扩散炉中；

b、向扩散炉中通入氮气，控制氮气流量为3～5L/min将硼带入炉腔内部；

c、控制扩散炉的温度为900～1000℃进行硼扩散反应。

5.根据权利要求1所述的一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，其特征在于，步骤

(4)具体流程如下：

a、将经步骤(3)处理后的硅片叠放在一起，最多不能多于250pcs,放入刻蚀机炉腔内；

b、控制刻蚀机炉腔内的四氟化碳：氧气按摩尔比为6:1～10:1,刻蚀10～15min;

c、刻蚀完成后，将硅片放入10wt%的HF溶液内，浸泡2min,再用去离子水漂洗干净并烘干。

6.根据权利要求1所述的一种制作单晶硅太阳能双面电池的方法，其特征在于，步骤

(5)具体流程如下：

CN103515471A权利要求书2/2页

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