CN103915435A 一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法 （长安大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103915435A

(43)申请公布日2014.07.09

(21)申请号201410122689.5

(22)申请日2014.03.28

(71)申请人长安大学

地址710064陕西省西安市南二环中段33

号

(72)发明人全思杨丽媛李演明文常保闫茂德郝跃

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人徐文权

(51Int.CL.

HO1LHO1L

27/02(2006.01)

21/77(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法

(57)摘要

CN103915435A本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN,电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻