CN103904112A 耗尽型绝缘栅AlGaNGaN器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN103904112A布日2014.07.02

(21)申请号201410025026.1

(22)申请日2014.01.20

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴梁日泉代波张进城郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385

代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

耗尽型绝缘栅A?GaN/GaN器件结构及其制作方法

绝缘层钝化膜

绝缘层钝化膜硅化物加厚电极

nAJGaN

AIN隔离层

GaN

衬底

CN103904112A本发明公开了一种耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、A?N隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于A1GaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上形成栅极，最后在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间),形成硅化物(NiSi,TiSi?等等)。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻高工作频率的耗尽型AlGaN/GaN

CN103904112A

CN103904112A权利要求书1/2页

2

1.一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征AlGaN层、A1GaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物；所述AlGaN掺杂层位于本征A1GaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上形成栅极，最后在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间，形成硅化物，最后淀积钝化层实现器件的钝化。

2.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构，其特征在于：其中的衬底的材料是蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构，其特征在于：其中的AlGaN中A1与Ga的组份可以调节，AlxGa??N中x=0～1。

4.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：硅化物包括NiSi,TiSi?、或Co?Si。

5.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构，其特征在于：绝缘层的厚度为5～10nm。

6.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：其GaN沟道替换为Al,Ga?-N沟道，而Al,Ga?-N中y的组份小于另外两层中的A1组份x,即xy。

7.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构，其特征在于：栅极采用绝缘栅结构，减小栅漏电流。

8.根据权利要求1所述的耗尽型绝缘栅A?GaN/GaN器件结构，其特征在于：其绝缘层和钝化层包括SiN、Al?O?、HfO?、HfSiO等绝缘材料。

9.基于耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：利用金属硅化物提高A1GaN/GaNMISHEMT器件性能的结构，包括如下过程：

(1)对外延生长的AlGaN/GaN材料进行有机清洗，用流动的去离子水清洗并放入HC1:H?0=1:1