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(In)GaAs单量子点：从可控外延生长到单光子发射特性的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，量子信息和光电子领域作为前沿研究方向，正引领着众多科技创新，对未来社会的发展产生深远影响。而(In)GaAs单量子点，作为这两个领域中的关键材料，因其独特的物理性质，展现出了巨大的研究价值和应用潜力。

(In)GaAs单量子点是一种典型的III-V族化合物半导体量子点，具有三维量子限制效应。其尺寸通常在1-100纳米之间，这种纳米尺度使其电子态呈现出离散的能级结构，类似“人造原子”的特性。这种独特的结构赋予了(In)GaAs单量子点