CN103779408A 基于耗尽型槽栅AlGaNGaN HEMT器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103779408A

(43)申请公布日2014.05.07

(21)申请号201410025538.8

(22)申请日2014.01.20

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴代波张春福梁日泉张进成郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385

代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法

绝缘层钝化膜

绝缘层钝化膜硅化物加厚电极

AIN隔离度一

GaN

衬底

CN103779408A本发明公开了一种基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征A1GaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成槽栅、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间),形成硅化物(NiSi,TiSi?等等)。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻高工作频率的耗尽型A1GaN/

CN103779408A

CN103779408A权利要求书1/2页

2

1.一种基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、A1GaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物；所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长耗尽型A1GaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成槽栅、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间，形成硅化物，最后淀积钝化层实现器件的钝化。

2.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的衬底的材料是蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其中的AlGaN中A1与Ga的组份可以调节，AlGa??N中x=0～1。

4.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：硅化物包括NiSi,TiSi?、或Co?Si。

5.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：绝缘层的厚度为5～10nm。

6.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其GaN沟道替换为Al,Ga?-N沟道，而Al,Ga?-N中y的组份小于另外两层中的A1组份x,即x

y。

7.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅A1GaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：硅化物为块状，并且引入应力，块间距小于块宽度，硅化物会对下面的各层产生压应力，块之间将会产生向块的压力，通过使块间距小于块宽度，可以使下面各层总体获得总体张应力，从而使沟道中电场得到增强。

8.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其绝缘层和钝化层包括SiN、Al?O?、HfO?、HfSi0等绝缘材料。

9.根据权利要求1所述的基于耗尽型槽栅AlGaN/GaNHEMT器件结构，其特征在于：其栅极采用槽栅结构。

10.基于耗尽型槽栅AlGa