CN103820863A 石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法 （四川飞阳科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103820863A

(43)申请公布日2014.05.28

(21)申请号201410065465.5

(22)申请日2014.02.25

(71)申请人四川飞阳科技有限公司

地址610209四川省成都市双流县西南航空

港经济开发区长城路一段185号

(72)发明人柳进荣李朝阳

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人王宝筠

(51)Int.CI.

C30B33/12(2006.01)

C23F4/00(2006.01)

GO2B6/136(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法

(57)摘要

CN103820863A本发明公开了一种石英衬底上多晶硅的刻蚀方法以及平面光波导的制作方法，所述刻蚀方法包括：在多晶硅层表面形成光刻胶掩膜层；采用C?F?以及SF?对多晶硅层进行干法刻蚀，形成设定深度和高度的沟槽；其中，所述C?F?的流量是SF?的流量1.5-2.5倍，所述SF?的流量为40sccm-50sccm。采用所述刻蚀方法可以防止由于钝化膜过薄