CN103872132A 金属氧化物半导体(mos)晶体管及其制作方法 （德州仪器公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103872132A

(43)申请公布日2014.06.18

(21)申请号201310655295.1

(22)申请日2013.12.06

(30)优先权数据

13/707,8652012.12.07US

(71)申请人德州仪器公司地址美国德克萨斯州

(72)发明人权勇·林斯坦利·升澈·松阿米塔比·贾殷

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

代理人林斯凯

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

29/78(2006.01)

29/10(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图13页

(54)发明名称

金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN103872132A本发明揭示一种金属氧化物半导体晶体管MOS及其制作方法，其中相对于栅极电极的宽度增加有效沟道长度。在结构的表面处形成上覆于虚拟栅极电介质材料上的虚拟栅极电极，所述结构具有自对准的源极/漏极区域及在虚拟栅极结构的侧