CN103928503B 基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103928503B公告日2016.08.17

(21)申请号201410166259.3

(22)申请日2014.04.23

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人许晟瑞姜腾郝跃张进成

张春福林志宇杨林安张金风(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

宋黎红等.“采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究”.《半导体技术》.2008,第33卷(第S1期),第175-178页.

审查员陈燕坤

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

29/267(2006.01)

21/205(2006.01)

(56)对比文件

US8338818B1,2012.12.25,

CN101847581A,2010.09.29,

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法

(57)摘要

CN103928503B本发明公开了一种基于m面GaN上的极性