CN103872136A 双栅mos结构的功率晶体管及其制作方法 （江苏宏微科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103872136A

(43)申请公布日2014.06.18

(21)申请号201410111358.1

(22)申请日2014.03.24

(71)申请人江苏宏微科技股份有限公司

地址213022江苏省常州市新北区华山中路

18号

(72)发明人张景超戚丽娜刘利峰王晓宝赵善麒

(74)专利代理机构常州市维益专利事务所32211

代理人贾海芬

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图2页

(54)发明名称

双栅MOS结构的功率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN103872136A本发明涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管，栅氧化层位于第一掺杂层上，第二掺杂层位于第一掺杂层内并与栅氧化层相连，第三掺杂层位于第二掺杂层内并与栅氧化层相连，绝缘介质层覆在有源区原胞的多晶硅层上，金属层覆在绝缘介质层上并延伸至有源区原胞的引线孔内与第三掺杂层和第二掺杂层相接导通，有源区原胞的多晶硅层包括由绝缘介质层隔离、且相互不连接的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，第一多晶硅栅和第二多晶硅栅分别通过各自金属引线连接到各自对应的栅极焊接区域，以分别控制第一多晶硅栅和第二多晶硅栅。本发明结构简单，将多晶硅层分

CN103872136A

CN103872136A权利要求书1/2页

2

1.一种双栅MOS结构的功率晶体管，包括金属层(7)、绝缘介质层(6)、多晶硅层、栅氧化层(4)、第三掺杂层(1)以及第二掺杂层(2)和第一掺杂层(3),栅氧化层(4)位于第一掺杂层(3)上，第二掺杂层(2)位于第一掺杂层(3)内并与栅氧化层(4)相连，第三掺杂层(1)位于第二掺杂层(2)内并与栅氧化层(4)相连，绝缘介质层(6)覆在有源区原胞的多晶硅层上，金属层(7)覆在绝缘介质层(6)上，金属层(7)延伸至有源区原胞的引线孔(8)内与第三掺杂层(1)和第二掺杂层(2)相接导通，其特征在于：所述有源区原胞的多晶硅层包括由绝缘介质层(6)隔离、且相互不连接的至少一个第一多晶硅栅(51)和至少一个第二多晶硅栅(52),且第一多晶硅栅(51)和第二多晶硅栅(52)分别通过各自金属引线连接到各自对应的栅极焊接区域，以分别控制第一多晶硅栅(51)和第二多晶硅栅(52)。

2.根据权利要求1所述的双栅MOS结构的功率晶体管，其特征在于：所述的第一多晶硅栅(51)与第二多晶硅栅(52)间隔设置，且第一多晶硅栅(51)与第二多晶硅栅(52)之间的绝缘介质层(6)上设有有源区原胞的中间引线孔(9),金属层(7)延伸至中间引线孔(9)内与第三掺杂层(1)和第二掺杂层(2)相接导通。

3.根据权利要求1所述的双栅MOS结构的功率晶体管，其特征在于：所述第一多晶硅栅(51)和第二多晶硅栅(52)构成栅单元，各栅单元中的第一多晶硅栅(51)与第二多晶硅栅(52)之间的绝缘介质层(6)与栅氧化层(4)相接，相邻栅单元之间的第一多晶硅栅(51)与第二多晶硅栅(52)之间的绝缘介质层(6)上设有有源区原胞的中间引线孔(9),金属层(7)延伸至中间引线孔(9)内与第三掺杂层(1)和第二掺杂层(2)相接导通。

4.根据权利要求1所述的双栅MOS结构的功率晶体管，其特征在于：所述第一多晶硅栅(51)和第二多晶硅栅(52)构成栅单元，各栅单元中的第一多晶硅栅(51)与第二多晶硅栅(52)之间的绝缘介质层(6)与栅氧化层(4)相接，相邻栅单元之间的第一多晶硅栅(51)与第一多晶硅栅(51)之间的绝缘介质层(6)上设有有源区原胞的中间引线孔(9),金属层(7)延伸至中间引线孔(9)内与第三掺杂层(1)和第二掺杂层(2)相接导通，或相邻栅单元之间的第二多晶硅栅(52)与第二多晶硅栅(52)之间的绝缘介质层(6)上设有有源区原胞的中间引线孔(9),金属层(7)延伸至中间引线孔(9)内与第三掺杂层(1)和第二掺杂层(2)相接导通。

5.根据权利要求1至4所述的双栅MOS结构的功率晶体管，其特征在于：所述的第一多晶硅栅(51)的宽度h1在