CN103928504B 基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103928504B公告日2017.03.29

(21)申请号201410168281.1

(22)申请日2014.04.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103928504A

(43)申请公布日2014.07.16

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人姜腾许晟瑞郝跃张进成

张春福林志宇雷娇娇陆小力(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(56)对比文件

US2010/0320443A1,2010.12.23,

CN102544276A,2012.07.04,

CN1763268A,2006.04.26,

许晟瑞.非极性和半极性GaN的生长及特性研究.《中国博士学位论文全文数据库信息科技辑》.2013,(第5期),正文第11-14页、25-26页、

110-114页.

审查员郑钰

(51)Int.CI.

HO1L29/267(2006.01)

HO1L21/205(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法

(57)摘要

CN103928504B本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InGaN纳米线生长效率低，方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层2-15nm金属Ti;(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN,并残余一部分未被氮化的金属Ti;(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InGaN纳米线。本发明

CN103928504B

在衬底上蒸发金属

在衬底上蒸发金属Ti薄膜

将衬底基片放入MOCVD反应室中

制备TiN层

生长极性InGaN纳米线

将衬底基片从MOCVD反应室取出

CN103928504B权利要求书1/1页

2

1.一种基于m面GaN的极性InGaN纳米线材料制作方法，包括如下步骤：

(1)将厚度为1-1000μm的m面GaN衬底放入电子束蒸发台E-Beam中，在真空度为1.8×103Pa的条件下，以0.2nm/s的速度蒸发一层2-15nm的Ti金属薄膜；

(2)将有Ti金属的m面GaN衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，并向反应室内通入流量均为1000sccm-10000sccm的氢气与氨气，在温度为600-1200℃,时间为5-20min,反应室压力为20-760Torr的工艺条件下，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成2-15nm厚的TiN,并在TiN层表面上残余一部分未被氮化的金属Ti;

(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂，在TiN层之上生长若干条平行于衬底且长度为10-100μm不等的极性InGaN纳米线，每条纳米线的长度根据残留的金属Ti液滴大小，以及生长的工艺条件随机产生。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(3)所述的利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层之上生长若干条平行于衬底且长度为10-100μm不等的极性InGaN纳米线，其工艺条件是：

反应室内压力：20-760Torr;

温度：400-900℃;

铟源流量：5-100μmol/min;

镓源流量：5-100μmol/min;

氨气流量：1000-10000sccm;

时间：5-60min。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(3)所述的利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层之上生长若干条平行于衬底且长度为10-100μm不等的极性InGaN纳米线，其In组分由通入的镓源和铟源的流量比值确定，其取值为0.1-0.9。

CN10392850