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2024年IGBT行业投资未来发展

趋势

行业现状发展历程驱动因素

行业痛点产业链行业环境

2022年x月x日

目录

01、行业概述

02、发展环境

03、行业现状

04、行业痛点

05、行业前景趋势

01

行业概述

行业定义

行业发展历程

行业产业链

行业定义

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合

全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动功率小、饱和压降低的优点。非常

适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电

源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT作为电力电子重要大功率主流器件之一，

广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。车

规级IGBT指要满足车载等级要求的IGBT，车规级IGBT是新能源汽车的核心器件，

IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的核心器

件之一。车规级IGBT模块是新能源汽车的电机控制器、高压充电机、空调系统等

电气组件的核心元器件，尤其IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换同时负责

电机变频控制。

发展历程

第一阶段是以1957年为起点：

以整流管、晶闸管为代表的半控型器件发展阶段。这一阶段的功率器件在低频、大功率变流领域中的应用

占有优势，取代了早先的汞弧整流器，半控型器件实现了弱电对强电的控制，在工业界引起了一场技术革

命，但半控型器件可通过信号控制其导通，但无法实现关断，使得其应用有着很大局限性。

第二阶段是20世纪70年代后期：

为以可关断晶闸管(GateTurnOffThyristor,GTO)、功率双极晶体管（BipolarJunctionTransistor,BJT，也称

GiantTransistor,GTR）和功率场效应晶体管（Power-MOSFET）等全控型器件为代表的发展阶段。全控型器件通过对门极

（基极/栅极）的控制，既可使器件导通又可使器件关断，其开关速度高于晶闸管，使变流器的高频化得以实现。20世纪70

年代末MOSFET出现，克服了前两代的许多不足，但其导通电阻却比较大，在高压领域其导通电阻仍旧是很大问题。

第三阶段是20世纪80年代后期：

以绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT）复合型器件为代表的发展阶段。IGBT是功率MOSFET和BJT

的复合，集中了BJT和MOSFET的优点，但也正是因为其由MOSFET驱动BJT，导致其开关速度、最大工作频率不及MOSFET，

故更适用于只在高压、大功率环境。

第四阶段：

是以功率集成电路（PowerIntegratedCircuit,PIC）或智能功率集成电路（SmartPowerIntegratedCircuit,SPIC）为代表的集

成电路发展阶段。PIC即采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，

制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。20世纪90

年代后，PIC开始进入实用化阶段。集成电路模块中MOSFET、IGBT等功率器件仍是其核心，约占整个芯