CN119068969B 一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法 （湖北长江万润半导体技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119068969B

(45)授权公告日2025.01.17

(21)申请号202411562190.6(56)对比文件

(22)申请日2024.11.05CN118430633A,2024.08.02

审查员邓国秀

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN119068969A

(43)申请公布日2024.12.03

(73)专利权人湖北长江万润半导体技术有限公

司

地址430081湖北省武汉市青山区建设二

路1号武钢数字大厦9F

(72)发明人赵周星张杰吴国骏李四林

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限

公司42102

专利代理师李丹胡琳萍

(51)Int.Cl.

G11C29/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方

法

(57)摘要

本发明公开了一种基于闪存弱页的闪存芯

片快速测试方法，包括以下步骤：1）通过闪存测

试设备读取闪存指定Block的信息，所述信息包

括：Block的总页数；2）在指定的Block内查找该

Block的闪存弱页；3）根据查找的闪存弱页，评估

闪存芯片的可靠性。本发明提出了基于快速查找

闪存弱页的闪存测试流程及方法，该方法只需要

对需要测试的闪存弱页状况进行读取即可通过

闪存弱页的错误比特翻转数精准高效评估整个

闪存的品质，在量产测试中可大幅减少闪存测试

时间，提高闪存筛选的量产测试效率。

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CN119068969B权利要求书1/2页

1.一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）获取闪存指定Block的信息，所述信息包括：Block的总页数；

2）在指定的Block内查找该Block的闪存弱页；所述闪存弱页为给定的闪存芯片中，某

个Block块内某页上每KB原始数据错误比特翻转数RBER大于或等于同一个Block块内其他

页错误比特翻转数RBER的平均值的2倍或以上的页；

所述步骤2）中，查找该Block的闪存弱页，采用以下步骤：

2.1）在指定的Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区域进行读取，在没有擦写

条件下，记录页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目；

其中，页首、页中及页尾三个位置选取对应的区域为：选取页首位置选取对应的区域

为：总页数0至20%区域、选取页中位置选取对应的区域为：总页数30%‑60%区域，选取页尾位

置选取对应的区域为：总页数80%‑100%区域；

2.2）选取各区域中，错误比特翻转数的最大值对应位置的Page页作为闪存弱页的查找

结果；

3）根据查找的闪存弱页，评估闪存芯片的可靠性。

2.根据权利要求1所述的一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法，其特征在于，步

骤2.2）中，具体如下：

2.2.1）根据页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目，确定指定的

Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置；

其中，闪存弱页分布类型通过比特翻转数差异进行分析确定；

所述闪存弱页分布类型包括：边缘型、中间型及混合型；

边缘型为：闪存弱页分布在Block块内页面范围的页首和/或页