CN119068968B 一种利用闪存弱页及其分布类型快速测试闪存的方法 （湖北长江万润半导体技术有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119068968B

(45)授权公告日2025.01.17

(21)申请号202411562189.3(56)对比文件

(22)申请日2024.11.05CN101779194A,2010.07.14

CN114093409A,2022.02.25

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN119068968A审查员邓国秀

(43)申请公布日2024.12.03

(73)专利权人湖北长江万润半导体技术有限公

司

地址430081湖北省武汉市青山区建设二

路1号武钢数字大厦9F

(72)发明人赵周星张杰吴国骏李四林

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限

公司42102

专利代理师李丹胡琳萍

(51)Int.Cl.

G11C29/56(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种利用闪存弱页及其分布类型快速测试

闪存的方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于查找闪存弱页及分

布类型的闪存快速测试方法，包括以下步骤：1）

读取闪存指定Block的配置信息；2）在指定的

Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区

域进行读取，在没有擦写条件下，记录页首、页

中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转

数目；3）根据页首、页中、页尾每个区域对应的

Page页的错误比特翻转数目，确定指定的Block

内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存

弱页位置；4）根据指定的Block内闪存弱页的分

布类型以及对应区域中的闪存弱页位置，实时监

B测闪存弱页快速评估整个闪存芯片的可靠性。本

8发明通过闪存弱页及分布特性来表征闪存芯片

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9

8品质及可靠性，仅仅只需要监控闪存弱页状况即

6

0

9可高效评估整个闪存的品质。

1

1

N

C

CN119068968B权利要求书1/2页

1.一种基于查找闪存弱页及分布类型的闪存快速测试方法，其特征在于，包括以下步

骤：

1）读取闪存指定Block的配置信息，所述配置信息包括：

Block的总页数；

2）在指定的Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区域进行读取，在没有擦写条

件下，记录页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目；

所述页首、页中及页尾三个位置选取对应的区域为：选取页首位置选取对应的区域为：

总页数0至20%区域、选取页中位置选取对应的区域为：总页数30%‑60%区域，选取页尾位置

选取对应的区域为：总页数80%‑100%区域；

3）根据页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目，确定指定的

Block内闪存弱页的分布类型以及对应区域中的闪存弱页位置；

所述闪存弱页为给定的闪存芯片中，某个Block块内某页上每KB原始数据错误比特翻

转数RBER大于或等于同一个Block块内其他页错误比特翻转数RBER的平均值的2倍或以上；

所述闪存弱页分布类型包括：边缘型、中间型及混合型；

边缘型为：闪存弱页分布在Block块内页面范围的页首和/或页尾区域；

中间型为：闪存弱页分布在Block块内页面范围的中间；

混合型为：闪存弱页同时分布在Block块内页面范围的页中区域以及页首或页尾区域

中的至少一个；