2025 年大学电子科学与技术（半导体物理）期中模拟测试卷.docVIP

2025年大学电子科学与技术（半导体物理）期中模拟测试卷

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______

一、选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填写在括号内）

1.半导体中电子和空穴的产生是由于（）

A.热激发B.光照C.杂质电离D.以上都是

2.本征半导体的费米能级位于（）

A.禁带中心B.导带底C.价带顶D.以上都不对

3.杂质半导体中，施主杂质的能级位于（）

A.禁带中靠近导带底B.禁带中靠近价带顶C.导带中D.价带中

4.半导体中电子迁移率的大小与（）有关。

A.杂质浓度B.温度C.电场强度D.以上都是

5.当温度升高时，半导体的电导率（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

6.半导体中电子和空穴的复合主要有（）

A.直接复合B.间接复合C.表面复合D.以上都是

7.光生伏特效应是指（）

A.光照使半导体产生电动势B.光照使半导体电流增大C.光照使半导体电阻减小D.光照使半导体电容增大

8.对于P型半导体，其多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

9.半导体的霍尔系数（）

A.只与载流子浓度有关B.只与迁移率有关C.与载流子浓度和迁移率都有关D.与温度有关

10.半导体的热导率主要由（）贡献。

A.电子B.空穴C.晶格振动D.杂质原子

二、多项选择题（总共5题，每题4分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填写在括号内）

1.以下属于半导体的特性的有（）

A.电导率介于导体和绝缘体之间B.具有热敏性C.具有光敏性D.具有掺杂性

2.半导体中杂质的作用有（）

A.改变半导体的导电类型B.提高半导体的电导率C.影响半导体的光电性能D.降低半导体的热导率

3.半导体中电子的散射机制包括（）

A.晶格散射B.杂质散射C.电离杂质散射D.表面散射

4.以下关于半导体能带结构的说法正确的是（）

A.有导带和价带B.禁带宽度与半导体材料有关C.导带中存在电子D.价带中存在空穴

5.半导体的光吸收过程包括（）

A.本征吸收B.杂质吸收C.自由载流子吸收D.晶格振动吸收

三、判断题（总共10题，每题2分，请判断对错，在括号内打“√”或“×”）

1.半导体的电导率随温度升高而线性增大。（）

2.本征半导体在任何温度下都没有自由载流子。（）

3.杂质半导体中，施主杂质越多，电子浓度越高，电导率越大。（）

4.半导体中电子的迁移率与温度无关。（）

5.光生伏特效应只能在特定半导体材料中发生。（）

6.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

7.半导体的霍尔系数为正时，其载流子为电子。（）

8.半导体的热导率主要由电子贡献，与晶格振动无关。（）

9.直接复合是半导体中电子和空穴复合的主要方式。（）

10.半导体的光电特性只与光照强度有关，与光的波长无关。（）

四、简答题（总共3题，每题10分，请简要回答问题）

1.简述半导体中电子和空穴的概念，并说明它们是如何产生的。

2.说明杂质半导体的分类及特点，以及杂质对半导体导电性能的影响。

3.解释半导体的光吸收过程，以及光生伏特效应的原理。

五、计算题（总共2题，每题15分，请写出详细的计算过程）

1.已知某半导体材料的本征载流子浓度ni=1.5×10^10/cm3，在一定温度下掺入施主杂质浓度ND=1×10^15/cm3，求该半导体材料中的电子浓度n和空穴浓度p，并判断其导电类型。

2.某半导体样品的霍尔系数RH=-2.5×10^-4m3/C，电导率σ=1.2×10^4S/m，求该样品中的载流子浓度和迁移率。

答案：

一、选择题

1.D

2.A

3.A

4.D

5.A

6.D

7.A

8.B

9.C

10.C

二、多项选择题

1.ABCD

2.ABC

3.ABCD

4.ABCD

5.ABCD

三、判断题

1.×

2.×

3.√

4.×

5.×

6.×

7.×

8.×

9.×

10.×

四、简答题

1.半导体中，电子是带负电的自由电荷，空穴是价带中电子激发到导带后留下的空位，可等效为带正电的载流子。它们由热激发使价带电子跃迁到导带产生，光照、杂质电离等也可产生。

2.杂质半导体分N型（多