功率半导体应用手册（第2版）·模拟自测题（可打印版）.docxVIP

功率半导体应用手册（第2版）·模拟自测题（可打印版）

适配考试：电气/电力电子/器件应用类笔试、面试|题型：选择+判断+简答|可直接打印

一、单项选择题（10题，每题1分）

1.IGBT属于哪种控制类型？（）A.电流控型B.压控型C.阻控型D.光控型

2.功率回路中，关断过电压主要由什么引起？（）A.导通压降B.栅极电阻C.杂散电感D.结温

3.IGBT栅极电阻Rg增大，会导致？（）A.开关更快，损耗更小B.di/dt减小，EMI改善C.更容易振荡D.短路能力增强

4.功率半导体热路中，Rth(jc)指的是？（）A.结到壳热阻B.壳到散热器热阻C.散热器到环境热阻D.结到环境热阻

5.SiC二极管相比传统快恢复二极管最大优势是？（）A.更便宜B.无反向恢复电荷C.耐压更高D.导通压降更低

6.IGBT短路保护的核心原则是？（）A.立即硬关断B.长时间承受短路C.快速检测+软关断D.提高栅压

7.功率器件并联主要为了？（）A.提高耐压B.增大电流容量C.降低开关频率D.简化驱动

8.功率循环寿命主要取决于？（）A.开关频率B.结温波动幅度C.正向电流D.驱动电压

9.以下哪种器件适合低压高频场景？（）A.I