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- 2026-03-18 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN104064443A
(43)申请公布日2014.09.24
(21)申请号201310092271.X
(22)申请日2013.03.21
(71)申请人旺宏电子股份有限公司
地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
(72)发明人戴光辉林宏俞谢孟宪邱腾震苏耿晖
(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021
代理人任岩
(51)Int.CI.
HO1LHO1L
21/02(2006.01)
23/64(2006.01)
权利要求书2页说明书14页附图13页
(54)发明名称
具稳定阻值及张应力的半导体装置元件及其制作方法
300
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CN104064443A本发明公开了一种具稳定阻值及张应力的半导体装置元件及其制作方法,以集成电路方法制作的半导体装置元件中提供具有张应力的多晶硅薄膜,且其具有稳定的电阻率和较少的变异性。制造这样的多晶硅薄膜的方法包括在半导体装置元
CN104064443A
CN104064443A权利要求书
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