CN104659089A 基于侧向外延技术的垂直结构AlGaNGaN HEMT器件及其制作方法 （苏州能屋电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN104659089A布日2015.05.27

(21)申请号201510109684.3

(22)申请日2015.03.12

(71)申请人苏州能屋电子科技有限公司

地址215000江苏省苏州市工业园区星湖街

218号生物纳米园A4楼110B室

(72)发明人张宝顺孙世闯付凯蔡勇于国浩张志利宋亮

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

代理人王锋

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

29/778(2006.01)

21/335(2006.01)

权利要求书1页

说明书7页附图2页

(54)发明名称

基于侧向外延技术的垂直结构AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法

(57)摘要

CN104659089A本发明公开了一种基于侧向外延技术的垂直结构A1GaN/GaNHEMT器件及其制作方法，该器件包括衬底、形成于衬底上的电流阻挡层以及侧向外延生长于电流阻挡层上的外延层，其中电流阻挡层上形成有电流导通通孔。本发明中电流阻挡层作为绝缘层能够很好的减小传统工艺中采用Mg掺杂、Mg离子注入提高势垒高度