CN104701405A 碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法 (西安电子科技大学).docxVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.18万字
  • 约 20页
  • 2026-03-19 发布于重庆
  • 举报

CN104701405A 碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法 (西安电子科技大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104701405A

(43)申请公布日2015.06.10

(21)申请号201510098787.4

(22)申请日2015.03.05

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人郭辉梁佳博蒋树庆宋朝阳张玉明

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L31/103(2006.01)

HO1L31/0224(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

碳化硅嵌入式电极异面型光导开关及其制作方法

(57)摘要

CN104701405A本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5),该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面,掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档