CN104701359A 垂直结构AlGaNGaN HEMT器件及其制作方法 （苏州能屋电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104701359A

(43)申请公布日2015.06.10

(21)申请号201510103132.1

(22)申请日2015.03.10

(71)申请人苏州能屋电子科技有限公司

地址215000江苏省苏州市工业园区星湖街

218号生物纳米园A4楼110B室

(72)发明人孙世闯张宝顺范亚明付凯蔡勇于国浩张志利宋亮

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

代理人王锋

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/06(2006.01)29/778(2006.01)21/335(2006.01)

21/265(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

垂直结构AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法

(57)摘要

CN104701359A本发明公开了一种垂直结构A1GaN/GaNHEMT器件，其包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/