CN104701162A 半导体器件、pin二极管和igbt的制作方法 （江苏物联网研究发展中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104701162A

(43)申请公布日2015.06.10

(21)申请号201310661952.3HO1L21/331(2006.01)

(22)申请日2013.12.06

(71)申请人江苏物联网研究发展中心

地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园C座申请人中国科学院微电子研究所

江苏中科君芯科技有限公司

(72)发明人张文亮朱阳军陆江田晓丽卢烁今

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人王宝筠

(51)Int.CI.

HO1L21/329(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

半导体器件、PIN二极管和IGBT的制作方法

(57)摘要

CN104701162A本发明提供一种半导体器件的制作方法，同时还提供了PIN二极管的制作方法以及IGBT的制作方法，所述半导体器件的制作方法包括提供多个半导体衬底；对需进行少子寿命控制的半导体衬底上的功能区进行少子寿命控制处理；