CN104637813A Igbt的制作方法 (江苏物联网研究发展中心).docxVIP

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CN104637813A Igbt的制作方法 (江苏物联网研究发展中心).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104637813A

(43)申请公布日2015.05.20

(21)申请号201310574715.3

(22)申请日2013.11.13

(71)申请人江苏物联网研究发展中心

地址214135江苏省无锡市无锡新区菱湖大

道200号中国传感网国际创新园C座申请人中国科学院微电子研究所

江苏中科君芯科技有限公司

(72)发明人张文亮朱阳军卢烁今喻巧群

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人王宝筠

(51)Int.CI.

HO1L21/335(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

IGBT的制作方法

(57)摘要

CN104637813A本发明提供了一种IGBT的制作方法,包括:提供第一硅片和第二硅片,第二硅片为轻掺杂的硅片;在第一硅片和/或第二硅片的一侧形成重掺杂的待形成缓冲层,并使待形成缓冲层与第二硅片的掺杂类型相同;采用键合工艺将第一硅片和第二硅

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