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微电子电路基础：MOSFET跨导与漏源电导特性分析.pdfVIP

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  • 2026-03-20 发布于北京
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微电子电路基础：MOSFET跨导与漏源电导特性分析.pdf

    微电子电路基础

    理工大学信息与电子学院

    微电子技术

    LabforMicroelectronicsofBIT

    跨导gm

    I

    gD|V

    m

    VDS

    GS

    跨导代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压V对漏电流I的控制能

    GSD

    力，即反映了MOSFET的增益的大小。

    以VGS作为参变量的gm~VDS特性曲线:

    VGS

    gm

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