微电子电路基础：MOSFET跨导与漏源电导分析.pptxVIP

北京理工大学信息与电子学院

微电子技术研究所

LabforMicroelectronicsofBIT

微电子电路基础

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

跨导gm

跨导代表转移特性曲线的斜率，它反映了栅电压VGS对漏电流ID的控制能力，即反映了MOSFET的增益的大小。

以VGS作为参变量的gm~VDS特性曲线:

gm一般为几~几十毫西门子。

为了提高gm，从设计角度，应提高β，即增大，从工艺角度，提高迁移率，减小TOX。从电路使用角度，应提高VGS。

VGS

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

漏源电导gds

MOSFET的漏源电导gds的定义是：

gds是输出特性曲线的斜率，也是增量输出电阻rO的倒数。

非饱和区

当VDS很小时

饱和区

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

当VDSVDsat后，简单的处理方法是从抛物线顶点以水平方向朝右延伸出去。

实际上，IDsat随着VDS的增加而略微增大，使(gds)sat略大于0。

降低(gds)sat的措施与降低有效沟道长度调制效应的措施是一致的。

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

交流小信号等效电路

2.3MOSFET的交流小信号参数及等效电路

（a）基本模型

（b）电阻表示沟道长度调制效应

（c）体效应用独立电流源