CN118969821B 一种高压碳化硅功率mosfet终端结构及其制备方法 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.1万字
  • 约 10页
  • 2026-03-20 发布于重庆
  • 举报

CN118969821B 一种高压碳化硅功率mosfet终端结构及其制备方法 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118969821B

(45)授权公告日2025.01.21

(21)申请号202411442671.3H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

(22)申请日2024.10.16

(56)对比文件

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN118969821ACN116264255A,2023.06.16

审查员郑琼

(43)申请公布日2024.11.15

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档